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Herstellung einer 77-GHz-Rotman-Linse auf einem Siliziumwafer mit hohem Widerstand im Lift-Off-Verfahren

In diesem Artikel aus dem International Journal of Antennas and Propagation wird die Herstellung einer hochohmigen Mikrostreifen-Rotman-Linse auf Siliziumbasis mit Hilfe eines Lift-off-Verfahrens vorgestellt. Die Linse verfügt über 3 Beam Ports, 5 Array Ports, 16 Dummy Ports und Beam Steering Angles von ±10 Grad. Die Linse wurde auf einem 200 µm dicken Silizium-Wafer mit hohem spezifischen Widerstand hergestellt und hat eine Grundfläche von 19,7 mm × 15,6 mm. Die Linse wurde als integraler Bestandteil eines 77-GHz-Radars getestet, bei dem eine abstimmbare X-Band-Quelle zusammen mit einem 8-fachen Multiplikator als HF-Quelle verwendet und das resultierende Millimeterwellensignal, das auf 77 GHz zentriert ist, durch eine Linsen-Antennen-Kombination abgestrahlt wurde. Eine Hornantenne mit einem Abwärtskonverter-Oberwellenmischer wurde verwendet, um das abgestrahlte Signal zu empfangen und das empfangene Signal in einem Advantest R3271A Spektrumanalysator anzuzeigen. Das überlagerte Sende- und Empfangssignal im Spektrumanalysator zeigte den ordnungsgemäßen Radarbetrieb und bestätigte das Design der Rotman-Linse.


 

Zitat:

Ali Attaran und Sazzadur Chowdhury, "Fabrication of a 77 GHz Rotman Lens on a High Resistivity Silicon Wafer Using Lift-Off Process," International Journal of Antennas and Propagation, vol. 2014, Article ID 471935, 9 pages, 2014. doi:10.1155/2014/471935