EM-Simulation eines 140-GHz-Antennenarrays für die drahtlose 6G-Kommunikation
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Einführung
Dieses Beispiel zeigt die Leistungsfähigkeit eines Antennen-Arrays für drahtlose 140-GHz-Kommunikation, z. B. für den Einsatz in einer 6G-Anwendung. Das Basiselement besteht aus einem TE 340-Mode-Substrat-integrierten Hohlraum (SIC), der mit einem 2x2-Schlitz-Antennen-Subarray aus Niedrigtemperatur-Keramik (LTCC) angeregt wird. Die Basiselemente werden zu einem 8x8-Array mit einer großen Bandbreite von 130 bis 145 GHz, einem Spitzengewinn von 20,5 dBi, stabilen Strahlungsdiagrammen über den gesamten Frequenzbereich, einem Wirkungsgrad von etwa 60 %, geringer Größe und vereinfachter Konstruktion kombiniert. Die Simulationen wurden in der XFdtd EM Simulationssoftware durchgeführt und basieren auf dem in (1) vorgestellten ursprünglichen Antennendesign.
Geräteentwurf und Simulation
Die Antennengruppe besteht aus 8x8 Elementen, die durch zwei Arten von integrierten Leistungsteilern mit H-Übergangssubstrat verbunden sind. Jedes einzelne Element (siehe Abbildung 1) besteht aus vier Metallschichten, die durch LTCC-Substratschichten aus Ferro A6M mit einer Dielektrizitätskonstante von 5,9 und einem Verlusttangens von 0,002 getrennt sind. Die oberste Schicht hat zwei TE 210-Mode-Substrat-integrierte Kavitäten (SIC), die durch Durchkontaktierungen definiert sind, die in Abbildung 1 und in Abbildung 2 auf der obersten Metallschicht sichtbar sind. Abbildung 2 zeigt auch die zweite Metallschicht mit vier strahlenden Schlitzen. Abbildung 3 zeigt die Metallschicht 3 mit den Durchkontaktierungen, die den SIC definieren und die vier Schlitze aus Abbildung 2 speisen, sowie zwei passende Pfosten in der Mitte des Hohlraums. In der Mitte der Metallschicht 3 befindet sich ein Schlitz der unteren Speiseschicht. Die untere Schicht ist in Abbildung 4 dargestellt, wo die Durchkontaktierungen den substratintegrierten Wellenleiter (SIW) der Zuführung definieren. Der einzelne Anpassungspfosten im SIW ist ebenfalls sichtbar, ebenso wie eine Hohlleitereinspeisung, die an der Öffnung in XFdtd angebracht ist.
Um das Array zu bilden, wird ein primärer H-Übergang-Leistungsteiler mit einem einzigen Eingangsanschluss von der Quelle in der Mitte und vier Ausgangsanschlüssen entworfen, die jeweils einen sekundären H-Übergang mit Antennenelementen speisen. Der in SIW konstruierte primäre H-Übergang ist in Abbildung 11 dargestellt. Bei der Simulation mit Hohlleiteranschlüssen an jedem der Ein- und Ausgänge liegt die Rückflussdämpfung über einen Frequenzbereich von 120 bis 150 GHz unter -10 dB, wie in Abbildung 12 dargestellt. Die in Abbildung 13 dargestellte sekundäre H-Verzweigung hat einen Eingangsanschluss in der unteren Mitte und vier Ausgangsanschlüsse, die jeweils mit einem Antennenelement wie in Abbildung 1 verbunden werden. Wie in Abbildung 14 dargestellt, liegt die Rückflussdämpfung der sekundären H-Verzweigung ebenfalls unter -10 dB für den gesamten Frequenzbereich von 120 bis 150 GHz.
Das endgültige 8x8-Array wird zusammengebaut, indem vier der sekundären H-Abzweigungen an die primären H-Abzweigungsausgänge angeschlossen werden, wie in Abbildung 15 dargestellt. An jedem der vier Ausgangsanschlüsse jeder sekundären H-Verzweigung wird ein Antennenelement angebracht. Die endgültige Struktur wird auf einer größeren Grundplatte mit den Maßen 25 x 10 x 0,616 mm platziert, wobei das Array an einem Ende positioniert ist und ein Hohlleiterspeiseanschluss mit einer SIW-Leitung verbunden ist, die an den Eingangsanschluss des primären H-Übergangs anschließt. Die sich daraus ergebende Struktur ist in Abbildung 16 dargestellt, und eine Ansicht der Array-Elemente von oben nach unten ist in Abbildung 17 zu sehen.
Die Rückflussdämpfung für die gesamte Struktur liegt bei etwa -10 dB für eine Bandbreite von 130 GHz bis 146 GHz, wie aus der Darstellung in Abbildung 18 hervorgeht. Die Verstärkung über dem Array variiert zwischen etwa 19,5 dBi an den Endpunkten von 130 GHz und 146 GHz bis zu einer Spitze von fast 21 dBi bei 140 GHz. In den Hauptebenen hat das Verstärkungsmuster eine Spitze bei 0 Grad mit Nebenkeulen von mindestens 10 dB unterhalb der Spitze. Die Verstärkungsdiagramme für 131 GHz, 135 GHz, 140 GHz und 144 GHz sind in Abbildung 20, Abbildung 21, Abbildung 22 bzw. Abbildung 23 dargestellt. Dreidimensionale Ansichten der Verstärkungsmuster bei denselben Frequenzen sind in Abbildung 24, Abbildung 25, Abbildung 26 und Abbildung 27 zu sehen, wobei die Form des Musters und der Verstärkungsgrad recht ähnlich sind und nur geringe Abweichungen der Array-Leistung von der Frequenz zeigen. In Abbildung 28 ist der Wirkungsgrad des Arrays mit Werten um 60 % für den gesamten Frequenzbereich dargestellt.
Schlussfolgerung
Dieses Beispiel zeigt die Leistung einer 8x8-Antennengruppe bei 140 GHz, die aus mehreren in das Substrat integrierten Hohlräumen besteht. Das Array weist über einen breiten Frequenzbereich nur geringe Schwankungen in der Form und den Pegeln des Gewinnmusters auf. Dieses Antennen-Array könnte für die drahtlose Kommunikation in zukünftigen 6G-Anwendungen nützlich sein.
Referenz
J. Xiao, X. Li, Z. Qi und H. Zhu, "140-GHz TE340 -Mode Substrate Integrated Cavities-Fed Slot Antenna Array in LTCC," in IEEE Access, vol. 7, pp. 26307-26313, 2019, doi: 10.1109/ACCESS.2019.2900989.